[发明专利]一种平面TEM样品制备的方法无效
| 申请号： | 201410106610.X | 申请日： | 2014-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN103900876A | 公开（公告）日： | 2014-07-02 |
| 发明（设计）人： | 孙蓓瑶 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G01N1/28 | 分类号： | G01N1/28 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 吴俊 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种平面TEM样品制备的方法，所述方法包括：将一所需制备的TEM平面样品放入FIB中，并确定需要研磨的目标位置；使用所述FIB的I-Beam于所述目标位置下方，设置一个纵向E-Beam定位标记；于所述目标位置左右，设置横向E-Beam定位标记；于所述横向E-Beam定位标记的上方处，设置研磨截止标记，此标记与横向E-Beam定位标记错开；于所述研磨截止标记处，设置I-Beam定位标记。通过本发明的方法能够分别在E-Beam与I-Beam下精确定位目标位置，从而确定研磨样品时具体的停止位置，进而提高制备定点平面TEM样品的质量和效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 平面 tem 样品 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种平面TEM样品制备的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：步骤S1：将一所需制备的TEM平面样品放入FIB中，并确定需要研磨的目标位置；步骤S2：使用所述FIB于所述目标位置下方，设置一个纵向E‑Beam定位标记；步骤S3：使用所述FIB于所述目标位置左右，分别设置一横向E‑Beam定位标记；步骤S4：使用所述FIB于两个所述横向E‑Beam定位标记的上方处，设置两个研磨截止标记，每个所述研磨截止标记与任意一个所述横向E‑Beam定位标记在竖直方向上均相互错开；步骤S5：使用所述FIB于每个所述研磨截止标记处，均设置一I‑Beam定位标记。
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