[发明专利]一种提高栅氧化层质量的方法有效
| 申请号： | 201410106618.6 | 申请日： | 2014-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN103903971B | 公开（公告）日： | 2017-01-04 |
| 发明（设计）人： | 江润峰 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所31272 | 代理人： | 吴俊 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种提高栅氧化层质量的方法，其特征在于，所述方法包括：提供一硅衬底；进行湿法清洗工艺以去除所述硅衬底表面形成的自然氧化层；继续将所述硅衬底放入一炉管进行高温氧化工艺，以于所述硅衬底的表面形成一栅氧化层；其中，所述炉管采用碳纤维发热管为热源进行所述高温氧化工艺，且将所述炉管在晶舟装载等待阶段的预定温度设置为T，所述T的取值范围为400℃到700℃。通过利用碳纤维发热管作为炉管加热源，可减少了晶舟升降温的等待时间，抑制了外来氧化层的生长，有效提高了栅氧化层的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 氧化 质量 方法 | ||
【主权项】：
一种提高栅氧化层质量的方法，其特征在于，所述方法包括：提供一硅衬底；进行湿法清洗工艺以去除所述硅衬底表面形成的自然氧化层；继续将所述硅衬底放入一炉管进行高温氧化工艺，以于所述硅衬底的表面形成一栅氧化层；其中，所述炉管采用碳纤维发热管为热源进行所述高温氧化工艺，且将所述炉管在晶舟装载等待阶段的预定温度设置为T，所述T的取值范围为400℃到700℃；其中，所述碳纤维发热管的升温速率为50‑200℃/分，降温速率为20‑100℃/分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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