[发明专利]半导体器件、半导体模块以及制造半导体器件和半导体模块的方法有效

专利信息
申请号: 201410107083.4 申请日: 2014-03-21
公开(公告)号: CN104064529B 公开(公告)日: 2017-06-30
发明(设计)人: G.比尔;J.赫格尔;T.施托尔策 申请(专利权)人: 英飞凌科技股份有限公司
主分类号: H01L23/28 分类号: H01L23/28;H01L23/26;H01L23/48;H01L25/03;H01L21/60;H01L21/56
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司72001 代理人: 杜荔南,胡莉莉
地址: 德国瑙伊比*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 半导体器件、半导体模块以及制造半导体器件和半导体模块的方法。本发明的一方面涉及一种半导体器件(100)。该半导体器件(100)具有半导体本体(1),该半导体本体具有上侧(1t)和与上侧(1t)对立的下侧(1b)。将上金属化部(11)施加到上侧(1t)上将下金属化部(16)施加到下侧(1b)上。潮气阻挡体(2)在与上金属化部(11)和下金属化部(16)共同作用下完全密封半导体本体(1)。
搜索关键词: 半导体器件 半导体 模块 以及 制造 方法
【主权项】:
一种半导体器件,具有:半导体本体(1),其具有上侧(1t)以及与上侧(1t)对立的下侧(1b),上金属化部(11)被施加到所述上侧(1t)上,下金属化部(16)被施加到所述下侧(1b)上,使得半导体本体(1)、上金属化部(11)和下金属化部(16)形成复合体(1,15,16);潮气阻挡体(2),其在与上金属化部(11)和下金属化部(16)共同作用下完全密封半导体本体(1),其中上金属化部(11)具有背向半导体本体(1)的上侧(11t),所述上金属化部的上侧具有一个或恰好一个未被潮气阻挡体(2)覆盖的表面片段;或者具有多个彼此间隔开的表面片段(111t, 112t, 171t, 172t),这些表面片段中的任何一个都未被潮气阻挡体(2)覆盖。
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