[发明专利]半导体器件、半导体模块以及制造半导体器件和半导体模块的方法有效
申请号: | 201410107083.4 | 申请日: | 2014-03-21 |
公开(公告)号: | CN104064529B | 公开(公告)日: | 2017-06-30 |
发明(设计)人: | G.比尔;J.赫格尔;T.施托尔策 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/28 | 分类号: | H01L23/28;H01L23/26;H01L23/48;H01L25/03;H01L21/60;H01L21/56 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人: | 杜荔南,胡莉莉 |
地址: | 德国瑙伊比*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 半导体器件、半导体模块以及制造半导体器件和半导体模块的方法。本发明的一方面涉及一种半导体器件(100)。该半导体器件(100)具有半导体本体(1),该半导体本体具有上侧(1t)和与上侧(1t)对立的下侧(1b)。将上金属化部(11)施加到上侧(1t)上将下金属化部(16)施加到下侧(1b)上。潮气阻挡体(2)在与上金属化部(11)和下金属化部(16)共同作用下完全密封半导体本体(1)。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 半导体 模块 以及 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种半导体器件,具有:半导体本体(1),其具有上侧(1t)以及与上侧(1t)对立的下侧(1b),上金属化部(11)被施加到所述上侧(1t)上,下金属化部(16)被施加到所述下侧(1b)上,使得半导体本体(1)、上金属化部(11)和下金属化部(16)形成复合体(1,15,16);潮气阻挡体(2),其在与上金属化部(11)和下金属化部(16)共同作用下完全密封半导体本体(1),其中上金属化部(11)具有背向半导体本体(1)的上侧(11t),所述上金属化部的上侧具有一个或恰好一个未被潮气阻挡体(2)覆盖的表面片段;或者具有多个彼此间隔开的表面片段(111t, 112t, 171t, 172t),这些表面片段中的任何一个都未被潮气阻挡体(2)覆盖。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英飞凌科技股份有限公司,未经英飞凌科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410107083.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:半导体器件及其制造方法
- 下一篇:阵列基板及其制造方法