[发明专利]一种铜互连扩散阻挡层及其制备方法无效
| 申请号： | 201410107226.1 | 申请日： | 2014-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN103928440A | 公开（公告）日： | 2014-07-16 |
| 发明（设计）人： | 卢红亮;张远;丁士进;张卫 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于微电子技术领域，具体为一种集成电路铜互连扩散阻挡层及其备方法。本发明使用PEALD技术生长CoxN与Ru原子层，形成Ru-Co-N的交叠结构，代替传统的TaN/Ta结构，作为Cu扩散阻挡层/粘附层/籽晶层，其表达式为Ruy(CoxN)1-y；通过调节Ru与CoxN两者的比例，可以得到对Cu优秀的粘附能力和扩散阻挡能力。本发明可在高纵横比结构上生长出均匀非晶薄膜，可以减少工艺步骤与薄膜器件的整体厚度，可以改善对Cu的扩散阻挡与粘附性能，还可以提高铜互连的导电性能，为铜互连工艺提供了一种简单实用的可行性方案。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 互连 扩散 阻挡 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种铜互连扩散阻挡层，其特征在于使用PEALD技术交替生长CoxN与Ru原子层，形成Ru‑Co‑N的交叠结构，作为Cu扩散阻挡层/粘附层/籽晶层；其表达式为：Ruy(CoxN)1‑y其中，x的取值范围是1‑10；y的取值范围是0.05‑0.95。
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