[发明专利]致密复合材料、其制造方法、接合体及半导体制造装置用部件有效
| 申请号： | 201410108395.7 | 申请日： | 2014-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN104072140B | 公开（公告）日： | 2017-09-05 |
| 发明（设计）人： | 神藤明日美;井上胜弘;胜田祐司 | 申请（专利权）人： | 日本碍子株式会社 |
| 主分类号： | C04B35/565 | 分类号： | C04B35/565;C04B35/622;C04B37/00 |
| 代理公司： | 上海市华诚律师事务所31210 | 代理人： | 李晓 |
| 地址： | 日本国爱知县名*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种复合材料，所述复合材料与氮化铝之间的线性热膨胀系数差很小，并且具有足够高的导热系数、致密性和强度。本发明的致密复合材料包含含量最多的前三位的碳化硅、钛碳化硅和碳化钛，这三种物质按照含量从多到少的顺序排列，该复合材料是包含51‑68质量%的碳化硅、不含有硅化钛以及具有1%以下的开口孔隙率的复合材料。例如，该致密复合材料的特性包括40‑570℃的平均线性热膨胀系数为5.4‑6.0ppm/K，导热系数为100W/m·K以上，以及四点弯曲强度为300MPa以上。 | ||
| 搜索关键词： | 致密 复合材料 制造 方法 接合 半导体 装置 部件 | ||
【主权项】：
一种致密复合材料，其组成中含量最多的前三位是碳化硅、钛碳化硅和碳化钛，所述复合材料包含51‑68质量％的所述碳化硅、27‑40质量％的所述钛碳化硅、4‑12质量％的所述碳化钛，不含有硅化钛，且具有1％以下的开口孔隙率。
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