[发明专利]一种Flash器件及其制备方法

摘要

本发明公开了一种Flash器件及其制备方法，通过仅去除位于字线带状接触区的字线带上表面的氮化硅层，于字线带顶部形成金属硅化物层，即通过增强带状单元接触孔内的金属材料与字线带上形成的金属硅化物之间的欧姆接触来降低字线带的接触电阻，相比较现有技术中制备的Flash器件降低了字线带的接触电阻，进而提高Flash器件编程（写）操作能力和擦写效率，同时有效的改善电容电阻延迟，进一步的提高Flash器件的性能。

主权项

1.一种Flash器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一设置有字线带状接触区和存储单元器件区的衬底；于所述衬底的表面依次沉积多晶硅层和氮化硅层后，部分去除所述氮化硅层和所述多晶硅层至所述衬底的表面，以在位于所述存储单元器件区中的衬底上形成多晶硅栅，在位于字线带状接触区中的衬底上形成字线带，且剩余的氮化硅层覆盖所述多晶硅栅和所述字线带的上表面；仅去除位于所述字线带状接触区中剩余的氮化硅层，并继续进行轻掺杂工艺；沉积一侧墙薄膜，且该侧墙薄膜将所述字线带状接触区和存储单元器件区暴露的表面予以覆盖；继续进行源漏极制备工艺；去除位于所述字线带上表面的侧墙薄膜后，继续沉积一金属层；继续第一退火工艺，使得部分所述金属层与所述字线带反应，以于所述字线带顶部生成一金属硅化物层；去除剩余的金属层。