[发明专利]改善薄膜均匀性的装置及方法在审
| 申请号： | 201410110057.7 | 申请日： | 2014-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN103871853A | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | 周晓强 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L21/70 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种改善薄膜均匀性的装置及方法，包括：反应腔室，位于所述反应腔室中的多个气体喷嘴，所述气体喷嘴的一端连接于所述反应腔室，另一端在所述反应腔室中的方向可以自由调节。通过调节不同的气体喷嘴的方向，来有效的控制反应气体的流向，改善成膜工艺中薄膜的均匀性，特别是对局部薄膜厚度偏高或偏低的现象，可以达到很好的改善效果；并且该方法只需要改善气体喷嘴与反应腔室的连接部分，可以广泛使用于半导体制造技术中含有气体喷嘴的化学气相沉积工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 薄膜 均匀 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种改善薄膜均匀性的装置，包括：反应腔室，位于所述反应腔室中的多个气体喷嘴，其特征在于，所述气体喷嘴的一端连接于所述反应腔室，另一端在所述反应腔室中的方向可以自由调节。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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