[发明专利]半导体处理工艺及半导体器件的制备方法在审
| 申请号： | 201410110061.3 | 申请日： | 2014-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN103871902A | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | 李全波;黄君;孟祥国;张瑜 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/322 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种半导体处理工艺，包括：提供一基底，对所述基底进行最少一次氧化-去氧化层处理，其中，所述氧化-去氧化层处理包括：对所述基底的表面进行氧化处理，在所述基底的表面形成一氧化层；去除所述氧化层，露出所述基底。本发明还提供应用所述半导体处理工艺的半导体器件的制备方法，提高嵌入硅锗器件的性能。通过所述氧化-去氧化层处理，可以减少或消除所述基底表面的缺陷，使得所述基底表面平整有利于下一步工序的进行。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 处理 工艺 半导体器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体处理工艺，其特征在于，包括：提供一基底，对所述基底进行最少一次氧化‑去氧化层处理，其中，所述氧化‑去氧化层处理包括： 对所述基底的表面进行氧化处理，在所述基底的表面形成一氧化层； 去除所述氧化层，露出所述基底。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
