[发明专利]一种多量子阱结构及采用该结构的发光二极管有效
| 申请号： | 201410110224.8 | 申请日： | 2014-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN103872198A | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | 刘志彬;陈沙沙;张东炎;刘晓峰;王笃祥 | 申请（专利权）人： | 天津三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300384 天津市*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种多量子阱结构及采用该结构的发光二极管，所述发光二极管的发光区具有至少一个量子阱结构，其结构包括第一保护层、在第一保护层上的第一过渡层、在第一过渡层上的量子阱层、在量子阱层上的第二过渡层、在第二过渡层上的第二保护层、以及在第二保护层上的量子垒层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多量 结构 采用 发光二极管 | ||
【主权项】：
一种多量子阱结构，其中至少一个量子阱结构包括：基于Ⅲ族氮化物的第一保护层、在第一保护层上的基于Ⅲ族氮化物的第一过渡层，在第一过渡层上的基于Ⅲ族氮化物的阱层，在量子阱层上的基于Ⅲ族氮化物的第二过渡层，在第二过渡层上的基于Ⅲ族氮化物的第二保护层，以及在第二保护层上的基于Ⅲ族氮化物的垒层。
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