[发明专利]半导体器件的制造方法及衬底处理装置

摘要

本发明涉及半导体器件的制造方法及衬底处理装置。本发明的课题在于形成膜厚均匀性优异的薄膜。通过如下手段解决本发明的课题在对处于小于大气压的压力下的处理室内的加热后的衬底供给含氧气体和含氢气体而对衬底的表面进行前处理后，通过进行规定次数包含以下工序的循环而在进行了前处理的衬底上形成薄膜，所述循环包含对处理室内的衬底供给原料气体的工序、和对处理室内的衬底供给反应气体的工序。

主权项

一种半导体器件的制造方法，具有如下工序：对处于小于大气压的压力下的处理室内的加热后的衬底同时供给含氧气体和含氢气体，对所述衬底的表面进行前处理的工序；和通过进行规定次数包含以下工序的循环而在进行了所述前处理的所述衬底上形成薄膜的工序，所述循环包含对所述处理室内的所述衬底供给原料气体的工序、和对所述处理室内的所述衬底供给反应气体的工序，在所述进行前处理的工序中，使所述含氢气体相对于所述含氧气体及所述含氢气体的浓度为2％以上20％以下，通过将所述衬底的表面氧化，从而在所述衬底的表面上形成氧化层，在所述形成薄膜的工序中，使所述薄膜堆积于在所述进行前处理的工序中所形成的所述氧化层上。