[发明专利]半导体结构有效
| 申请号： | 201410110738.3 | 申请日： | 2014-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN104795447B | 公开（公告）日： | 2018-01-23 |
| 发明（设计）人： | 陈蔚宗;蔡娟娟;辛哲宏;蔡学宏;杨智翔 | 申请（专利权）人： | 元太科技工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司11019 | 代理人： | 寿宁,张华辉 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是有关于一种半导体结构，包括顶栅极、氧化物半导体通道层、第一介电层、第二介电层以及源极与漏极。氧化物半导体通道层配置于顶栅极与基板之间。第一介电层配置于顶栅极与氧化物半导体通道层之间。第二介电层配置于第一介电层与氧化物半导体通道层之间。源极与漏极配置于氧化物半导体通道层的相对两侧，且位于第一介电层与基板之间。氧化物半导体通道层的一部分暴露于源极与漏极之间。部分第一介电层及部分第二介电层直接接触且完全覆盖氧化物半导体通道层的部分。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，配置于基板上，其特征在于该半导体结构包括：顶栅极；氧化物半导体通道层，配置于该顶栅极与该基板之间；第一介电层，配置于该顶栅极与该氧化物半导体通道层之间；第二介电层，配置于该第一介电层与该氧化物半导体通道层之间，其中该第一介电层的介电系数不同于该第二介电层的介电系数；以及源极与漏极，配置于该氧化物半导体通道层的相对两侧，且从该氧化物半导体通道层的该相对两侧延伸至该基板的表面上，且位于该第一介电层与该基板之间，其中该氧化物半导体通道层的一部分暴露于该源极与该漏极之间，而部分该第一介电层及部分该第二介电层直接接触且完全覆盖该氧化物半导体通道层的该部分，其中该第二介电层直接覆盖该源极的上表面以及该漏极的上表面。
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