[发明专利]层间介质层性能的测试结构和测试方法有效
| 申请号： | 201410110743.4 | 申请日： | 2014-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN103872023B | 公开（公告）日： | 2016-10-26 |
| 发明（设计）人： | 尹彬锋;吴奇伟;邓娇娇 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/66;G01R31/26 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提出了一种层间介质层性能的测试结构和测试方法，在栅极正上方形成用于收集由等离子体带来的电荷，并保证栅极和天线由层间介质层隔离，当天线接收的电荷积累到层间绝缘层无法承受的量时，电荷就会穿过层间绝缘层，对半导体器件造成损害，在检测时，通过检测半导体器件的漏电流和阀值电压便能够判断半导体器件是否被损害，进而判断层间介质层是否被击穿，实现对层间介质层耐等离子体损伤能力的检测。 | ||
| 搜索关键词： | 介质 性能 测试 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种层间介质层性能的测试结构，用于对层间介质层耐等离子体损伤能力的检测，所述结构包括：半导体器件、层间介质层、通孔连线、金属连线和天线；其中，所述半导体器件设有栅极、源极、漏极和基极；所述层间介质层形成于所述半导体器件表面；所述金属连线形成于所述层间介质层的表面，包括栅极金属连线、源极金属连线、漏极金属连线和基极金属连线；所述栅极、源极、漏极和基极通过通孔连线分别连接所述栅极金属连线、源极金属连线、漏极金属连线和基极金属连线；所述天线形成于所述层间介质层的表面位于所述栅极的正上方，并与所述半导体器件以及金属连线相隔离。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司，未经上海华力微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410110743.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
