[发明专利]薄膜晶体管衬底及其制造方法以及显示装置有效
| 申请号： | 201410111003.2 | 申请日： | 2014-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN104347726B | 公开（公告）日： | 2019-03-29 |
| 发明（设计）人： | 崔丹碧;李政宪 | 申请（专利权）人： | 三星显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L27/32;G02F1/136 |
| 代理公司： | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人： | 余朦;杨莘 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了薄膜晶体管衬底、用于制造薄膜晶体管衬底的方法和包括薄膜晶体管的显示装置。在本发明的一个方面中，提供了一种薄膜晶体管衬底，其包括衬底、形成于所述衬底上的半导体层、形成于所述半导体层上的栅绝缘膜、形成于所述栅绝缘膜上的栅电极、形成于所述栅电极上且包括用于使所述半导体层的部分暴露的源接触孔和漏接触孔的层间绝缘膜、以及分别插入所述源接触孔和所述漏接触孔的源电极和漏电极。所述层间绝缘膜包括形成于所述源接触孔的入口处和所述漏接触孔的入口处的第一凸部。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 衬底 及其 制造 方法 以及 显示装置 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管衬底，包括：衬底；半导体层，形成于所述衬底上；栅绝缘膜，形成于所述半导体层上；栅电极，形成于所述栅绝缘膜上；层间绝缘膜，形成于所述栅电极上且包括用于使所述半导体层的部分暴露的源接触孔和漏接触孔；源电极和漏电极，分别插入所述源接触孔和所述漏接触孔；平坦化层，形成于所述源电极和所述漏电极上且包括用于使所述漏电极的一部分暴露的像素接触孔；以及像素电极，插入所述像素接触孔内，所述层间绝缘膜包括形成于所述源接触孔入口处和所述漏接触孔入口处的第一凸部，以及其中所述半导体层、所述漏接触孔和所述像素接触孔彼此重叠。
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