[发明专利]一种高电阻温度系数氧化钒薄膜制备方法有效
| 申请号： | 201410111401.4 | 申请日： | 2014-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN103882389A | 公开（公告）日： | 2014-06-25 |
| 发明（设计）人： | 韦良忠;朱汪龙;刘燕;陈黎明 | 申请（专利权）人： | 无锡艾立德智能科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/08;C23C14/58 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 邵骅 |
| 地址： | 214028 江苏省无锡市新区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种高电阻温度系数的氧化钒薄膜制备方法，包括以下步骤：（1）将基片在富氧气氛下进行离子轰击活化处理；（2）氧化钒薄膜沉积在常温下分两步进行：在处理后的基片上沉积一层1-5nm的低价态超薄氧化钒种子层，然后以反应溅射沉积氧化钒那薄膜；（3）以反应溅射相同气氛，对薄膜进行高温快速退火。利用本发明所提供的制备方法可实现电阻温度系数-3～5%/K的氧化钒薄膜沉积。同时，本发明所提供的制备方法与MEMS工艺和集成电路制造工艺兼容性好，适于大批量基于氧化钒热敏薄膜的器件制造。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电阻 温度 系数 氧化 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高电阻温度系数氧化钒薄膜制备方法，包括以下步骤：（1）装入基片，对基片表面进行离子轰击活化；（2）将步骤（1）处理后的基片在真空环境下转入溅射室；（3）在常温下，进行氧化钒薄膜两步法溅射沉积；（4）对沉积后的氧化钒薄膜进行高温快速退火。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡艾立德智能科技有限公司，未经无锡艾立德智能科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410111401.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：粉末冶金减压甩块及其制造方法
- 下一篇：一种变压器波纹油箱的波纹片组
- 同类专利
- 专利分类
