[发明专利]一种存储器中的磁性轨道的制造方法、装置及一种存储器有效
| 申请号： | 201410111552.X | 申请日： | 2014-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN104953025B | 公开（公告）日： | 2017-07-07 |
| 发明（设计）人： | 林殷茵;赵俊峰;杨伟;王元钢;杨凯;傅雅蓉 | 申请（专利权）人： | 华为技术有限公司;复旦大学 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12;H01L43/00 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司44202 | 代理人： | 郝传鑫,熊永强 |
| 地址： | 518129 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种存储器中的磁性轨道的制造方法，包括将多个阳性隔离层和多个阴性隔离层交替堆叠以制取堆叠体；沿堆叠方向对所述堆叠体刻蚀至少一个孔隙；在所述孔隙的内表面沿所述孔隙的方向淀积两条互不接触的磁性材料以形成两条凹凸状的磁性轨道。相应地，本发明实施例还公开了一种存储器中的磁性轨道的制造装置。采用本发明，可以实现制造出带凹凸状且凹凸分布均匀的以及长且直的磁性轨道，提高读写精度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 存储器 中的 磁性 轨道 制造 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种存储器中的磁性轨道的制造方法，其特征在于，所述方法包括：将多个阳性隔离层和多个阴性隔离层交替堆叠以制取堆叠体；沿堆叠方向对所述堆叠体刻蚀至少一个孔隙；在所述孔隙的内表面沿所述孔隙的方向淀积两条互不接触的磁性材料以形成两条凹凸状的磁性轨道，其中，所述阳性隔离层和所述阴性隔离层针对所述磁性材料具有不同的淀积速率。
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