[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示面板及其制备方法有效
申请号: | 201410112044.3 | 申请日: | 2014-03-24 |
公开(公告)号: | CN103915449B | 公开(公告)日: | 2017-06-09 |
发明(设计)人: | 高山;南英瑛;高永益 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L23/552;H01L21/77 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司11002 | 代理人: | 李迪 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及显示技术领域,公开了一种阵列基板及其制备方法、显示面板及其制备方法,阵列基板包括第一衬底基板,其上设置有薄膜晶体管、数据线和屏蔽金属层,屏蔽金属层包括与数据线和薄膜晶体管的沟道位置相对应的区域。本发明在阵列基板上的与数据线相对应的位置形成有屏蔽金属层,可代替原来彩膜基板上部分的黑矩阵,由于屏蔽金属层形成在衬底基板上,其对位偏差极小,由于彩膜基板上的彩色滤光层的多个彩色滤光单元之间没有黑矩阵区域,不会产生对盒偏差的问题,同时,屏蔽金属层为金属材料,其尺寸可以做得尽量小,可提高像素开口率。 | ||
搜索关键词: | 阵列 及其 制备 方法 显示 面板 | ||
【主权项】:
一种显示面板,其特征在于,其包括相对设置的彩膜基板和阵列基板;所述阵列基板包括第一衬底基板,所述第一衬底基板上设置有薄膜晶体管和数据线,其特征在于,还包括屏蔽金属层,所述屏蔽金属层包括与数据线和所述薄膜晶体管的沟道位置相对应的区域;与所述数据线位置相对应的屏蔽金属层的宽度大于或等于所述数据线的宽度;所述阵列基板,还包括,设置在所述屏蔽金属层的上方的缓冲层和所述缓冲层的上方的多晶硅层,所述多晶硅层形成有所述沟道;所述彩膜基板包括第二衬底基板和形成在所述第二衬底基板上的彩色滤光层,所述阵列基板的第一衬底基板上还设置有栅线,所述彩色滤光层包括黑矩阵和多个彩色滤光单元,所述黑矩阵仅设置在与所述栅线位置相对应的区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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