[发明专利]具备背电极局域随机点接触太阳电池及制备方法无效

专利信息
申请号: 201410112187.4 申请日: 2014-03-25
公开(公告)号: CN103904142A 公开(公告)日: 2014-07-02
发明(设计)人: 梁鹏;韩培德;范玉洁;邢宇鹏 申请(专利权)人: 中国科学院半导体研究所
主分类号: H01L31/0224 分类号: H01L31/0224;H01L31/0216;H01L31/04;H01L31/18
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 任岩
地址: 100083 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明一种具备背电极局域随机点接触太阳电池及制备方法,该具备背电极局域随机点接触太阳电池,包括:一衬底;一n型发射极,其制作在衬底上;一前表面钝化层,其制作在n型发射极上,该前表面钝化层分为多段,相邻两段之间均有一电极窗口;一钝化膜,其制作在衬底的下面,该钝化膜开有多个小孔;多个栅线前电极,其制作在前表面钝化层上的电极窗口内,该栅线前电极与n型发射极接触;一整面背电极,其制作在钝化膜上,通过钝化膜上的小孔与衬底接触。本发明可以解决硅太阳电池表面钝化与电极接触的矛盾问题,提高硅太阳电池的长波响应和电池效率。
搜索关键词: 具备 电极 局域 随机 点接触 太阳电池 制备 方法
【主权项】:
一种具备背电极局域随机点接触太阳电池,包括:一衬底;一n型发射极,其制作在衬底上;一前表面钝化层,其制作在n型发射极上,该前表面钝化层分为多段,相邻两段之间均有一电极窗口;一钝化膜,其制作在衬底的下面,该钝化膜开有多个小孔;多个栅线前电极,其制作在前表面钝化层上的电极窗口内,该栅线前电极与n型发射极接触;一整面背电极,其制作在钝化膜上,通过钝化膜上的小孔与衬底接触。
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