[发明专利]具备背电极局域随机点接触太阳电池及制备方法无效
申请号: | 201410112187.4 | 申请日: | 2014-03-25 |
公开(公告)号: | CN103904142A | 公开(公告)日: | 2014-07-02 |
发明(设计)人: | 梁鹏;韩培德;范玉洁;邢宇鹏 | 申请(专利权)人: | 中国科学院半导体研究所 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/0216;H01L31/04;H01L31/18 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 任岩 |
地址: | 100083 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明一种具备背电极局域随机点接触太阳电池及制备方法,该具备背电极局域随机点接触太阳电池,包括:一衬底;一n型发射极,其制作在衬底上;一前表面钝化层,其制作在n型发射极上,该前表面钝化层分为多段,相邻两段之间均有一电极窗口;一钝化膜,其制作在衬底的下面,该钝化膜开有多个小孔;多个栅线前电极,其制作在前表面钝化层上的电极窗口内,该栅线前电极与n型发射极接触;一整面背电极,其制作在钝化膜上,通过钝化膜上的小孔与衬底接触。本发明可以解决硅太阳电池表面钝化与电极接触的矛盾问题,提高硅太阳电池的长波响应和电池效率。 | ||
搜索关键词: | 具备 电极 局域 随机 点接触 太阳电池 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种具备背电极局域随机点接触太阳电池,包括:一衬底;一n型发射极,其制作在衬底上;一前表面钝化层,其制作在n型发射极上,该前表面钝化层分为多段,相邻两段之间均有一电极窗口;一钝化膜,其制作在衬底的下面,该钝化膜开有多个小孔;多个栅线前电极,其制作在前表面钝化层上的电极窗口内,该栅线前电极与n型发射极接触;一整面背电极,其制作在钝化膜上,通过钝化膜上的小孔与衬底接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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