[发明专利]一种氧化物薄膜晶体管阵列基板的制造方法

摘要

本发明涉及液晶显示技术领域，公开了一种氧化物薄膜晶体管阵列基板的制造方法。该方法通过形成沟道区域上保留有光刻胶的氧化物半导体层图案，从而在氧化物半导体层图案上形成源电极和漏电极的构图工艺中，沟道区域上保留的光刻胶能够保护该沟道区域不被源漏金属刻蚀液刻蚀，保证薄膜晶体管的半导体特性不受影响。

主权项

一种氧化物薄膜晶体管阵列基板的制造方法，包括在一基板上形成薄膜晶体管的步骤，其特征在于，所述形成薄膜晶体管的步骤包括：在所述基板上形成沟道区域上保留有光刻胶的氧化物半导体层图案；在所述氧化物半导体层图案上形成源漏金属层，通过刻蚀工艺形成包括源电极、漏电极的图形，剥离氧化物半导体层图案的沟道区域上保留的光刻胶；所述在所述氧化物半导体层图案上形成源漏金属层，通过刻蚀工艺形成包括源电极、漏电极的图形，剥离氧化物半导体层图案的沟道区域上保留的光刻胶的步骤包括：在所述氧化物半导体层图案上形成源漏金属层；在所述源漏金属层上涂覆光刻胶；对所述光刻胶进行曝光，显影，形成光刻胶保留区域和光刻胶不保留区域，其中，所述光刻胶保留区域至少对应氧化物半导体层图案的沟道区域，以及源电极和漏电极所在的区域，所述光刻胶不保留区域对应其他区域；刻蚀掉光刻胶不保留区域的源漏金属层；剥离光刻胶保留区域的光刻胶，以及氧化物半导体层图案的沟道区域上保留的光刻胶，形成源电极和漏电极。