[发明专利]沟槽电极布置

摘要

公开了一种沟槽电极布置。一种方法包括形成从半导体本体的第一表面延伸到半导体本体中的沟槽，以使得具有第一沟槽区段和邻接于第一沟槽区段的至少一个第二沟槽区段，其中第一沟槽区段比第二沟槽区段更宽。在至少一个第二沟槽区段中形成第一电极，并且由第一电介质层将第一电极与半导体本体的半导体区域介电绝缘。在该至少一个第二沟槽区段中，在第一电极上形成电极间电介质层。在电极间电介质层上的至少一个第二沟槽区段中以及在第一沟槽区段中形成第二电极，以使得由第二电介质层将至少在第一沟槽区段中的第二电极与半导体本体介电绝缘。

主权项

一种用于产生半导体器件的方法，所述方法包括：形成从半导体本体的第一表面延伸到所述半导体本体中的沟槽，以使得所述沟槽具有第一沟槽区段和邻接所述第一沟槽区段的至少一个第二沟槽区段；在所述至少一个第二沟槽区段中形成第一电极，由第一电介质层将所述第一电极与所述半导体本体的半导体区域介电绝缘；在所述至少一个第二沟槽区段中形成在所述第一电极上的电极间电介质层；以及在所述电极间电介质层上的所述至少一个第二沟槽区段中以及在所述第一沟槽区段中形成第二电极，以使得由第二电介质层将至少在所述第一沟槽区段中的所述第二电极与所述半导体本体的半导体区域介电绝缘；其中沿着与第一表面平行的半导体本体的横截面平面，所述第一沟槽区段比第二沟槽区段更宽；并且其中所述沟槽包括连接第一沟槽区段与第二沟槽区段的锥形侧壁，侧壁的锥形在与第一表面平行的方向上形成。