[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201410113740.6 | 申请日： | 2014-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN104952730B | 公开（公告）日： | 2018-05-01 |
| 发明（设计）人： | 三重野文健 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L29/78;H01L29/10;H01L29/49 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构的形成方法包括提供基底；在所述基底表面形成凸起的栅极；在所述栅极的侧壁表面形成栅介质层；在所述栅介质层表面形成沟道层；在所述基底表面形成介质层；在所述栅极两侧的介质层内形成第一通孔，所述第一通孔与沟道层之间具有部分介质层；在所述第一通孔内形成背栅极。上述方法形成的半导体结构，具有较高的沟道长度的同时可以通过背栅极对沟道层施加电压，调整晶体管的阈值电压。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底；在所述基底表面形成凸起的栅极；在所述栅极的侧壁表面形成栅介质层；在所述栅介质层表面形成沟道层；在所述基底表面形成介质层；在所述栅极两侧的介质层内形成第一通孔，所述第一通孔与沟道层之间具有部分介质层，且所述第一通孔与沟道层之间的距离为2nm～10nm；在所述第一通孔内形成背栅极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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