[发明专利]电互连结构及其形成方法

摘要

一种电互连结构及其形成方法，其中，电互连结构的形成方法包括：表面具有导电膜的衬底，导电膜材料的晶格呈第一晶粒结构排布，单个完整的第一晶粒结构具有第一晶粒尺寸，导电膜具有第一厚度，第一厚度大于第一晶粒尺寸；采用退火工艺使导电膜材料的晶粒尺寸增大，使导电膜材料的晶格呈第二晶粒结构排布，单个完整的第二晶粒结构具有第二晶粒尺寸，第二晶粒尺寸大于第一晶粒尺寸，第一厚度大于或等于第二晶粒尺寸；刻蚀部分导电膜直至暴露出衬底表面为止，形成导电层；刻蚀部分导电层，在导电层内形成凹槽，位于凹槽侧壁的部分导电层形成导电插塞，位于导电插塞底部和凹槽底部的部分导电层形成电互连线。所形成的电互连结构性能良好。

主权项

1.一种电互连结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在衬底表面形成导电膜，所述导电膜材料的晶格呈第一晶粒结构排布，单个完整的第一晶粒结构具有第一晶粒尺寸，所述导电膜具有第一厚度，所述第一厚度大于第一晶粒尺寸；采用退火工艺使所述导电膜材料的晶粒尺寸增大，使导电膜材料的晶格呈第二晶粒结构排布，单个完整的第二晶粒结构具有第二晶粒尺寸，所述第二晶粒尺寸大于第一晶粒尺寸，所述第一厚度大于或等于第二晶粒尺寸；刻蚀部分导电膜直至暴露出衬底表面为止，形成导电层；刻蚀部分导电层，在所述导电层内形成凹槽，所述凹槽的深度小于第一厚度，位于所述凹槽侧壁的部分导电层形成导电插塞，位于所述导电插塞底部和凹槽底部的部分导电层形成电互连线，所述电互连线垂直于衬底表面方向的尺寸小于所述第二晶粒尺寸，所述导电插塞平行于衬底表面方向的尺寸小于所述第二晶粒尺寸；在衬底表面、导电层的侧壁表面和凹槽内形成第二介质层。