[发明专利]含有异氰脲酸化合物与苯甲酸化合物的反应生成物的形成防反射膜的组合物在审
申请号: | 201410113858.9 | 申请日: | 2005-09-27 |
公开(公告)号: | CN103838086A | 公开(公告)日: | 2014-06-04 |
发明(设计)人: | 岸冈高广;坂本力丸;丸山大辅 | 申请(专利权)人: | 日产化学工业株式会社 |
主分类号: | G03F7/11 | 分类号: | G03F7/11;G02B1/04 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 曽祯;段承恩 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明的课题在于提供一种防反射膜,其显示很高的防反射效果、不与光致抗蚀剂发生混合、可以形成在下部没有大的卷边形状的光致抗蚀剂图形、可以在使用了ArF准分子激光和F2准分子激光等的照射光的光刻工序中使用;还提供用于形成该防反射膜的形成防反射膜的组合物。本发明通过提供下述形成防反射膜的组合物而解决了上述课题,即,一种形成防反射膜的组合物,含有下述反应生成物,即,由具有2个或3个2,3-环氧丙基的异氰脲酸化合物与苯甲酸化合物进行反应而获得的反应生成物。 | ||
搜索关键词: | 含有 异氰脲 酸化 苯甲酸 化合物 反应 生成物 形成 反射 组合 | ||
【主权项】:
1.一种防反射膜,是将形成防反射膜的组合物涂布在半导体基板上并进行烘烤而得的防反射膜,所述形成防反射膜的组合物含有:以下式(1)所示的化合物与具有溴基或碘基的羟基苯甲酸化合物以摩尔比计式(1)所示的化合物:苯甲酸化合物为1:2~1:3的比例反应而得的反应生成物、该反应生成物的低聚物、交联性化合物、溶剂、光产酸剂和酸化合物,式中,R1表示碳原子数1~6的烷基、苄基、2-丙烯基、2,3-环氧丙基或苯基。
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