[发明专利]硅/金属含能调制膜诱导反应制备高温服役低电阻接头的方法

摘要

本发明公开了一种硅/金属含能调制膜诱导反应制备高温服役低电阻接头的方法，其步骤如下：一、在高真空条件下，在待连接碳化硅半导体或金属衬底表面交替沉积反应金属层和无定形硅层，形成含能调制膜；二、在含能调制膜上方的一侧放置另一个待连接碳化硅半导体或金属衬底，并均匀施加一定压力；在含能调制膜上方的另一侧施加脉冲激光照射诱导区，瞬时向含能调制膜的诱导区输入极小能量，激发含能调制膜的放热反应，而且利用含能调制膜的反应热维持其反应继续进行，最终形成高温服役低电阻硅基金属间化合物接头。本发明可以选择性快速加热待连接部位，对半导体器件的热影响小；可以在极短时间内形成接头，有助于提高生产效率。

主权项

硅/金属含能调制膜诱导反应制备高温服役低电阻接头的方法，其特征在于所述方法步骤如下：一、在高真空条件下，通过物理气相沉积法或化学气相沉积法，在待连接碳化硅半导体或金属衬底表面交替沉积反应金属层和无定形硅层，形成含能调制膜，所述含能调制膜中，每层控制硅层或反应金属层的厚度在5‑60nm，调制周期数大于5；二、在步骤一形成的含能调制膜上方的一侧放置另一个待连接碳化硅半导体或金属衬底，并均匀施加1000‑10000Pa压力；在含能调制膜上方的另一侧施加脉冲激光照射诱导区，瞬时向含能调制膜的诱导区输入极小能量，激发含能调制膜的放热反应，而且利用含能调制膜的反应热维持其反应继续进行，最终形成高温服役低电阻硅基金属间化合物接头，控制激光脉冲持续时间为0.1‑0.5ms、脉冲功率为500‑2000W，激光输入能量为0.05‑1J。