[发明专利]晶体管及其形成方法有效
| 申请号： | 201410114598.7 | 申请日： | 2014-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN104952921B | 公开（公告）日： | 2018-07-10 |
| 发明（设计）人： | 三重野文健 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种晶体管及其形成方法，所述晶体管的形成方法包括：提供基底；在所述基底表面形成间隔堆叠的若干绝缘层和若干伪栅极层；在所述绝缘层和伪栅极层内形成通孔，所述通孔底部位于基底表面；在所述通孔内壁表面形成沟道层；去除所述伪栅极层，形成相邻绝缘层之间的凹槽；在所述凹槽内壁表面以及沟道层表面形成栅介质层；在所述栅介质层表面形成填充满凹槽以及通孔的栅极。上述方法可以提高晶体管的集成度。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 伪栅极层 通孔 绝缘层 基底表面 栅介质层 表面形成沟道层 沟道层表面 相邻绝缘层 凹槽内壁 表面形成 间隔堆叠 通孔内壁 集成度 基底 去除 | ||
【主权项】：
1.一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供基底；在所述基底表面形成间隔堆叠的若干绝缘层和若干伪栅极层；在所述绝缘层和伪栅极层内形成通孔，所述通孔底部位于基底表面；在所述通孔内壁表面形成沟道层；去除所述伪栅极层，形成相邻绝缘层之间的凹槽；在所述凹槽内壁表面以及沟道层表面形成栅介质层；在所述栅介质层表面形成填充满凹槽以及通孔的栅极。
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