[发明专利]基于碳材料的透明导电薄膜、其工业化制法及应用有效
申请号: | 201410114971.9 | 申请日: | 2014-03-26 |
公开(公告)号: | CN104952717B | 公开(公告)日: | 2018-04-06 |
发明(设计)人: | 陈新江 | 申请(专利权)人: | 苏州汉纳材料科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/28 | 分类号: | H01L21/28;H01B5/14;H01B13/00 |
代理公司: | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)32256 | 代理人: | 王锋 |
地址: | 215000 江苏省苏州工业园区*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于碳材料的透明导电薄膜、其工业化制法及应用。该透明导电薄膜包括透明基体,分别覆设于所述基体两侧面的第一、第二透明导电层;所述第一、第二透明导电层均主要由碳材料组成,而且分别具有第一、第二图形化结构,其中至少在垂直于所述透明导电薄膜的方向上,所述第一、第二图形化结构的投影不重合;该工业化制法主要是基于低温等离子体刻蚀实现的。本发明的透明导电薄膜包含多层具有高质量图案化结构的碳材料透明导电层,光、电学性能优良稳定,适于在触摸屏、液晶显示器、太阳能电池、LED照明器具等各种设备中广泛应用,且制备工艺具有简单、成本低、效率高,安全环保等优点。 | ||
搜索关键词: | 基于 材料 透明 导电 薄膜 工业化 制法 应用 | ||
【主权项】:
一种基于碳材料的透明导电薄膜的工业化制法,其特征在于包括:(1)提供透明导电薄膜,其包括透明基体和分别覆设于所述基体两侧面的第一透明导电层和第二透明导电层,所述第一透明导电层和第二透明导电层均主要由碳材料组成;(2)分别以第一掩模和第二掩模掩盖所述第一透明导电层和第二透明导电层,其中所述第一掩模和第二掩模分别具有第一镂空图形结构和第二镂空图形结构;(3)将所述透明导电薄膜置入蚀刻室内,并对蚀刻室进行抽真空处理,使蚀刻室内的真空度达到5‑100Pa,而后通入载气和工作气体,使所述蚀刻室内的气压维持在10‑1000Pa,再进行辉光放电,生成可与任一种碳纳米管反应生成气态产物但不损伤所述基体和掩模的等离子体,而后以所述等离子体将从所述第一掩模和第二掩模的镂空图形结构中暴露出的第一透明导电层和第二透明导电层的局部区域完全除去,而使所述第一透明导电层和第二透明导电层中被掩模遮盖的其余区域被保留,从而分别在所述第一透明导电层和第二透明导电层中形成第一图形化结构和第二图形化结构,其中,至少在垂直于所述透明导电薄膜的方向上,所述第一图形化结构与第二图形化结构的投影不重合,所述工作气体为在等离子状态下能与碳反应生成挥发性物质的洁净气体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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