[发明专利]一种焊盘缺陷的检测方法在审
| 申请号： | 201410115020.3 | 申请日： | 2014-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN104952749A | 公开（公告）日： | 2015-09-30 |
| 发明（设计）人： | 范春燕;韩耀梅;虞勤琴 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种焊盘缺陷的检测方法，包括步骤：1）提供形成有第一金属焊盘结构半导体器件；2）采用显微分析法确定所述第一金属焊盘表面的缺陷区域，其中，所述缺陷区域为第一金属突起缺陷或第二金属扩散缺陷；3）采用腐蚀溶液对所述缺陷区域进行腐蚀，其中，所述腐蚀溶液对所述第一金属的腐蚀速率远大于对所述第二金属的腐蚀速率；4）采用显微分析法对所述缺陷区域进行检测，其中：若所述缺陷区域被去除，则判断所述缺陷区域为第一金属突起缺陷；若所述缺陷区域未被去除，则判断所述缺陷区域为第二金属扩散缺陷。本发明通过对焊盘缺陷区域进行化学处理前后形貌的对比，可以快速有效地区分出铝突起缺陷及铜扩散缺陷，并几乎可以实现零误判。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 缺陷 检测 方法 | ||
【主权项】：
一种焊盘缺陷的检测方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1），提供形成有第一金属焊盘结构半导体器件；步骤2），采用显微分析法确定所述第一金属焊盘表面的缺陷区域，其中，所述缺陷区域为第一金属突起缺陷或第二金属扩散缺陷；步骤3），采用腐蚀溶液对所述缺陷区域进行腐蚀，其中，所述腐蚀溶液对所述第一金属的腐蚀速率远大于对所述第二金属的腐蚀速率；步骤4），采用显微分析法对所述缺陷区域进行检测，其中：若所述缺陷区域被去除，则判断所述缺陷区域为第一金属突起缺陷；若所述缺陷区域未被去除，则判断所述缺陷区域为第二金属扩散缺陷。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
