[发明专利]显示设备及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201410116654.0 申请日: 2009-12-24
公开(公告)号: CN103872043B 公开(公告)日: 2019-01-15
发明(设计)人: 荒井康行 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: H01L27/02 分类号: H01L27/02;H01L29/786;H01L23/52;H01L21/77
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 李玲
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 一种显示设备包括:形成于基板之上且用作栅极电极的第一布线;形成于第一布线之上的栅极绝缘膜;设置在栅极绝缘膜之上的第二布线和电极层;以及形成于第二布线和电极层之间的高阻抗氧化物半导体层。在该结构中,第二布线是使用低阻抗氧化物半导体层和低阻抗氧化物半导体层上的导电层的层叠体而构成的,并且电极层是使用低阻抗氧化物半导体层和层叠的导电层的层叠体而构成的,使得用作低阻抗氧化物半导体层的像素电极的区域露出来。
搜索关键词: 显示 设备 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种半导体器件,包括:晶体管,包括:第一氧化物半导体层;所述第一氧化物半导体层上的第二氧化物半导体层和第三氧化物半导体层;通过所述第二氧化物半导体层电连接于所述第一氧化物半导体层的源电极;通过所述第三氧化物半导体层电连接于所述第一氧化物半导体层的漏电极;在所述第一氧化物半导体层上的栅极绝缘膜;以及在所述栅极绝缘膜上的栅电极;和电容器,包括:在所述第三氧化物半导体层上并与之接触的第一电极,所述第一电极包括与所述晶体管的所述源电极和所述漏电极相同的材料;以及所述第一电极上的第二电极,其中,所述第一氧化物半导体层包括凹陷部分,其中,所述栅电极与所述凹陷部分重迭,其中,所述第一氧化物半导体层、所述第二氧化物半导体层和所述第三氧化物半导体层中的每一个包括铟、镓和锌,以及其中,所述第一氧化物半导体层的电阻率大于所述第二氧化物半导体层的电阻率和所述第三氧化物半导体层的电阻率。
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