[发明专利]显示设备及其制造方法有效
申请号: | 201410116654.0 | 申请日: | 2009-12-24 |
公开(公告)号: | CN103872043B | 公开(公告)日: | 2019-01-15 |
发明(设计)人: | 荒井康行 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L29/786;H01L23/52;H01L21/77 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 李玲 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种显示设备包括:形成于基板之上且用作栅极电极的第一布线;形成于第一布线之上的栅极绝缘膜;设置在栅极绝缘膜之上的第二布线和电极层;以及形成于第二布线和电极层之间的高阻抗氧化物半导体层。在该结构中,第二布线是使用低阻抗氧化物半导体层和低阻抗氧化物半导体层上的导电层的层叠体而构成的,并且电极层是使用低阻抗氧化物半导体层和层叠的导电层的层叠体而构成的,使得用作低阻抗氧化物半导体层的像素电极的区域露出来。 | ||
搜索关键词: | 显示 设备 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种半导体器件,包括:晶体管,包括:第一氧化物半导体层;所述第一氧化物半导体层上的第二氧化物半导体层和第三氧化物半导体层;通过所述第二氧化物半导体层电连接于所述第一氧化物半导体层的源电极;通过所述第三氧化物半导体层电连接于所述第一氧化物半导体层的漏电极;在所述第一氧化物半导体层上的栅极绝缘膜;以及在所述栅极绝缘膜上的栅电极;和电容器,包括:在所述第三氧化物半导体层上并与之接触的第一电极,所述第一电极包括与所述晶体管的所述源电极和所述漏电极相同的材料;以及所述第一电极上的第二电极,其中,所述第一氧化物半导体层包括凹陷部分,其中,所述栅电极与所述凹陷部分重迭,其中,所述第一氧化物半导体层、所述第二氧化物半导体层和所述第三氧化物半导体层中的每一个包括铟、镓和锌,以及其中,所述第一氧化物半导体层的电阻率大于所述第二氧化物半导体层的电阻率和所述第三氧化物半导体层的电阻率。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的