[发明专利]有机电致发光装置的制造方法

摘要

本发明涉及一种有机电致发光装置的制造方法，其特征在于，包括：在第一绝缘层之上形成第三绝缘层的工序；通过对第三绝缘层进行蚀刻，从而去除第一像素区域的第三绝缘层的工序；在以连续覆盖第一反射膜以及第二反射膜的方式而形成了前驱体绝缘层之后，通过对前驱体绝缘层的上表面进行平坦化处理，从而在第一像素与第二像素中具有分别不同的膜厚，并且，形成具有作为平坦面的第一面的第二绝缘层的工序；在第二绝缘层的第一面之上形成第一像素电极以及第二像素电极的像素电极形成工序，其中，第一绝缘层与第三绝缘层相比，通过蚀刻而被去除的速度较慢。

主权项

一种有机电致发光装置的制造方法，其特征在于，所述有机电致发光装置包括第一像素和第二像素，所述第一像素具有第一绝缘层、被设置于所述第一绝缘层之上的第一反射膜、被设置于所述第一反射膜之上的第二绝缘层、被设置于所述第二绝缘层之上的第一像素电极、被设置于所述第一像素电极之上的第一发光层、被设置于所述第一发光层之上的第一对置电极，并且所述第一像素在所述第一反射膜与所述第一对置电极之间使第一色的光共振，所述第二像素具有所述第一绝缘层、被设置于所述第一绝缘层之上的第三绝缘层、被设置于所述第三绝缘层之上的第二反射膜、被设置于所述第二反射膜之上的所述第二绝缘层、被设置于所述第二绝缘层之上的第二像素电极、被设置于所述第二像素电极之上的第二发光层、被设置于所述第二发光层之上的第二对置电极，并且所述第二像素在所述第二反射膜与所述第二对置电极之间使第二色的光共振，所述有机电致发光装置的制造方法包括：在所述第一绝缘层之上形成所述第三绝缘层的工序；通过对所述第三绝缘层进行蚀刻从而去除第一像素区域的所述第三绝缘层的工序；在以连续覆盖所述第一反射膜以及所述第二反射膜的方式而形成了前驱体绝缘层之后，通过对所述前驱体绝缘层的上表面进行平坦化处理，从而在所述第一像素与所述第二像素中具有各自不同的膜厚，并且，形成具有作为平坦面的第一面的所述第二绝缘层的工序；在所述第二绝缘层的所述第一面之上形成所述第一像素电极以及所述第二像素电极的像素电极形成工序，所述第一绝缘层与所述第三绝缘层相比，通过所述蚀刻而被去除的速度较慢。