[发明专利]成膜装置、气体供给装置以及成膜方法

摘要

本发明提供一种成膜装置、气体供给装置以及成膜方法，用于降低作为基板的半导体晶圆（W）的微粒污染。在该成膜装置中，依次向真空气氛的处理容器（1）内的晶圆供给相互反应的多种反应气体，来进行成膜处理，在进行了薄膜的形成处理之后，通过使吹扫气体流通而将附着于与反应气体接触的部位的微粒除去。并且，利用用于使反应气体暂时升压之后排向处理容器的升压用的储存容器（61、62），将吹扫气体的压力提高到比反应气体在升压时的压力高，之后供给到处理容器内。因此，在吹扫气体的强流的作用下，在储存容器下游侧的流路内存在的微粒与吹扫气体一起流动而被除去。因此，带入处理容器内的微粒减少，所以能够降低晶圆的微粒污染。

主权项

一种成膜装置，在该成膜装置中，依次向真空气氛的处理室内的基板供给相互反应的多种反应气体，使反应生成物层叠而形成薄膜，该成膜装置的特征在于，包括：气体供给路径，其根据反应气体的种类设置，用于将上述反应气体供给到处理室内；储存部，其设于上述气体供给路径，用于通过储存气体提高其内部压力；阀，其分别设于上述气体供给路径的位于上述储存部的上游侧的部位及位于上述储存部的下游侧的部位；吹扫气体供给部，其用于向上述储存部供给吹扫气体；控制部，其用于执行成膜步骤和吹扫步骤，在该成膜步骤中，针对多种反应气体中的各种反应气体，以使反应气体储存于上述储存部而升压之后、从该储存部向处理室内排出的方式依次进行操作上述阀的动作，该吹扫步骤在该成膜步骤之后进行，在该吹扫步骤中，以使上述吹扫气体储存于各储存部而使各储存部升压至比上述成膜步骤中的对应的储存部在升压时的压力高的压力、然后使上述吹扫气体从该储存部向处理室内排出的方式进行操作上述阀的动作，并反复进行多次该动作。