[发明专利]功率半导体模块和用于制造功率半导体模块的方法有效
| 申请号： | 201410119568.5 | 申请日： | 2014-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN104078428B | 公开（公告）日： | 2017-12-15 |
| 发明（设计）人： | 英戈·博根;克里斯蒂安·约布尔;帕特里克·格拉施尔;约恩·格罗斯曼;克里斯蒂安·沃尔特 | 申请（专利权）人： | 赛米控电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/10 | 分类号： | H01L23/10;H01L21/50 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司11219 | 代理人： | 李楠,安翔 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种功率半导体模块和用于制造功率半导体模块的方法，其具有第一壳体件和形成结构单元的直流电压负载连接设备，第一壳体件具有凹隙，直流电压负载连接设备具有第一和第二直流电压负载连接元件，第一直流电压负载连接元件具有布置在凹隙中的第一穿通区段，第二直流电压负载连接元件具有布置在凹隙中的第二穿通区段，在第一与第二穿通区段之间构造有间隙，第一和第二穿通区段利用弹性体来包裹，弹性体填充间隙，弹性体与第一和第二穿通区段材料锁合地连接，使得第一和第二穿通区段相对于第一壳体件密封。直流电压负载连接元件可靠地并且具有很高的温度变化耐受性地相对于功率半导体模块的壳体密封，直流电压负载连接元件之间的间距能够很小地实施。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体 模块 用于 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种功率半导体模块，其具有基底(19)和布置在所述基底(19)上的并且与所述基底(19)连接的功率半导体结构元件(22)，其中，所述功率半导体模块(14)具有第一壳体件(13)和形成结构单元的直流电压负载连接设备(1)，所述第一壳体件具有凹隙(15)，其中，所述直流电压负载连接设备(1)具有导电的第一直流电压负载连接元件(2)和导电的第二直流电压负载连接元件(5)，所述第一直流电压负载连接元件和所述第二直流电压负载连接元件分别与至少一个功率半导体结构元件(22)导电连接，其中，所述第一直流电压负载连接元件(2)具有布置在所述第一壳体件(13)外部的第一外部连接区段(3)，而所述第二直流电压负载连接元件(5)具有布置在所述第一壳体件(13)外部的第二外部连接区段(6)，其中，所述第一直流电压负载连接元件(2)具有布置在所述第一壳体件(13)内部的第一内部连接区段(4)，而所述第二直流电压负载连接元件(5)具有布置在所述第一壳体件(13)内部的第二内部连接区段(7)，其中，所述第一直流电压负载连接元件(2)具有布置在所述凹隙(15)中的第一穿通区段(10)，而所述第二直流电压负载连接元件(5)具有布置在所述凹隙(15)中的第二穿通区段(11)，其中，在所述第一穿通区段(10)与所述第二穿通区段(11)之间构造有间隙(12)，其中，所述第一穿通区段(10)和所述第二穿通区段(11)利用不导电的弹性体(8)来包裹，并且所述弹性体(8)填充所述间隙(12)，其中，所述弹性体(8)与所述第一穿通区段(10)和所述第二穿通区段(11)材料锁合地连接，并且与所述第一壳体件(13)非材料锁合地连接，其中，所述弹性体(8)将所述第一穿通区段(10)和所述第二穿通区段(11)相对于所述第一壳体件(13)密封。
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