[发明专利]一种铜基硫族固溶体薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 201410119919.2 | 申请日： | 2014-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN104947034A | 公开（公告）日： | 2015-09-30 |
| 发明（设计）人： | 张海涛;张晓琨;向勇 | 申请（专利权）人： | 向勇 |
| 主分类号： | C23C8/72 | 分类号： | C23C8/72;C23C30/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 250101 山东省济*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明提供一种铜基硫族固溶体薄膜的制备方法，包括以下步骤：将含有铜及其它金属预制层沉积到衬底上，将任意比例的硫和硒放入容器中，将容器抽真空后冲入保护气体并密封，将容器进行热处理，固溶体即形成。本发明通过控制硫、硒的比例可以精确地调节薄膜材料中硫、硒的比例。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 铜基硫族 固溶体 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种铜基硫族固溶体薄膜的制备方法，具体包括以下步骤： a,提供一个衬底； b,将含有铜及其它金属的预制层沉积到衬底上成为前驱体； c,将前驱体放入耐高温容器； d,将一定比例的硫和硒放入容器中； e,将容器抽真空后充入保护气体并密封； f,进行热处理,此过程中固溶体即形成。
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