[发明专利]等离子体刻蚀AlSi的方法

摘要

本发明涉及一种等离子体刻蚀AlSi的方法。该方法在金属刻蚀设备刻蚀AlSi的基础上，采用等离子刻蚀设备运行去除硅渣的程序和正胶显影设备运行正胶显影程序。由于去除硅渣的程序可去除残留的硅渣，正胶显影程序可去除聚合物点子，因此本发明的技术方案可以消除由于胶膜厚度、AlSi金属膜厚度的正常波动以及干法刻AlSi工艺的正常波动而造成的除光刻胶掩蔽膜的区域外，其他腐蚀窗口区域残留的大量硅渣和聚合物点子的问题，从而提高了硅片表面质量镜检合格率。硅片表面质量镜检合格率从原来工艺波动时的0%提高到现在工艺波动时100%。

主权项

一种等离子体刻蚀AlSi的方法，其特征在于：该方法步骤为：1）在硅片上完成了金属化前的图形后，在所述具有金属化前图形的硅片上溅射一层AlSi薄膜；2）在所述具有AlSi薄膜的硅片上、通过光刻、形成AlSi腐蚀窗口；3）在所述具有AlSi腐蚀窗口的硅片上、通过等离子刻蚀、去除腐蚀窗口区域的AlSi；4）在所述去除腐蚀窗口区域的AlSi的硅片上、去除腐蚀窗口区域残留的硅渣；5）在所述去除腐蚀窗口区域残留硅渣的硅片上、去除腐蚀窗口区域残留的聚合物点子；6）在所述去除腐蚀窗口区域残留的聚合物点子的硅片上、去除光刻胶。