[发明专利]FET感测单元及提高其灵敏度的方法有效
| 申请号： | 201410120539.0 | 申请日： | 2014-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN104614430B | 公开（公告）日： | 2017-12-05 |
| 发明（设计）人： | 陈东村;黄睿政;温清华;郑钧文;刘怡劭 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G01N27/414 | 分类号： | G01N27/414 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种诸如FET感测单元的器件，该器件包括位于衬底上方的第一介电层，位于第一介电层上方的有源层，位于有源层中的源极区，位于有源层中的漏极区，在有源层中介于源极区和漏极区之间的沟道区，位于沟道区上方的感测膜，位于有源层上方的第二介电层，其中，在第二介电层中形成开口并且感测膜位于开口内，位于第二介电层内的第一电极以及位于第二介电层的上方并延伸到开口中的流体栅极区。本发明还提供了通过调节感测值提高器件灵敏度的方法。 | ||
| 搜索关键词： | fet 单元 提高 灵敏度 方法 | ||
【主权项】：
一种场效应晶体管感测器件，包括：第一介电层，位于衬底上方；有源层，位于所述第一介电层上方；源极区，位于所述有源层中；漏极区，位于所述有源层中；沟道区，位于所述有源层中，介于所述源极区和所述漏极区之间；感测膜，位于所述沟道区上方；第二介电层，位于所述有源层上方；电极，位于所述第二介电层内；以及流体栅极区，位于所述第二介电层以及所述感测膜上方，其中，所述流体栅极区是腔体，所述电极限定所述腔体的位于所述第二介电层中的侧壁的一部分，所述感测膜限定所述腔体的位于所述第二介电层中的底部。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410120539.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：碳纳米管三电极气体传感器的极间距优化方法
- 下一篇：高精度溶解氧检测仪
