[发明专利]一种肖特基单触发开关集成EFI芯片单元及爆炸箔起爆装置无效
| 申请号： | 201410120549.4 | 申请日： | 2014-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN103868422A | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | 朱朋;沈瑞琪;叶迎华;胡博;吴立志;胡艳 | 申请（专利权）人： | 南京理工大学 |
| 主分类号： | F42D1/045 | 分类号： | F42D1/045 |
| 代理公司： | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人： | 朱显国 |
| 地址： | 210094 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种肖特基单触发开关集成EFI芯片单元及爆炸箔起爆装置。所述肖特基单触发开关集成EFI芯片单元包括：Si3N4的硅基底、金属Ti/Cu层、聚酰亚胺层、上电极Ti/W/Ti/Cu/Au和肖特基二级管，所述爆炸箔起爆装置包括肖特基单触发开关集成EFI芯片单元、飞片、加速膛、炸药柱、印制电路板底座、传输线、低压贴片电容、高压贴片电容。本发明与现有技术相比，其显著优点在于金属Ti/Cu层在肖特基单触发开关单元中作下电极，在爆炸箔起爆单元中作爆炸箔，聚酰亚胺层在肖特基单触发开关单元中作上下电极间的绝缘层，在爆炸箔起爆单元中作爆炸箔起爆器的飞片层，减少了工艺流程，成本低，体积小；肖特基二极管具有反向击穿特性，使开关能够抗杂散电流，具有本质的安全性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 肖特基单 触发 开关 集成 efi 芯片 单元 爆炸 起爆 装置 | ||
【主权项】：
一种肖特基单触发开关集成EFI芯片单元，其特征是：所述单元包括Si3N4的硅基底（1）、金属Ti/Cu层（2）、聚酰亚胺层（3）、上电极Ti/W/Ti/Cu/Au（4）和肖特基二级管（5）；所述Si3N4的硅基底（1）上设置金属Ti/Cu层（2），所述金属Ti/Cu层（2）分为下电极区和桥箔区，所述下电极区为矩形结构，桥箔区为两端宽中间窄的桥型结构，窄的部分为爆炸箔（6），宽的一端与下电极区相连，所述金属Ti/Cu层（2）上设置聚酰亚胺层（3），所述聚酰亚胺层（3）完全覆盖下电极区及部分桥箔区，使未与下电极区相连的桥箔区宽的一端金属铜层裸露，所述下电极区聚酰亚胺层（3）上设置上电极Ti/W/Ti/Cu/Au（4），上电极Ti/W/Ti/Cu/Au（4）上设置肖特基二级管（5），所述下电极区以及设置在其上的聚酰亚胺层（3）、上电极Ti/W/Ti/Cu/Au（4）和肖特基二级管（5）构成单触发开关单元。
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