[发明专利]一种磷灰石型硅酸铽磁光晶体及其制备方法

摘要

本发明公开了一种在可见-近红外光区具有高透过率、高费尔德常数的磷灰石型硅酸铽磁光晶体及其制备方法。该晶体采用熔体提拉法生长，分子式为Tb_10-x(SiO₄)₆O_3-1.5x，其中x＝0～2，属六方晶系，空间群为。该磁光晶体具有优良的磁光效应，其费尔德常数（Verdetconstant）高于目前商品化应用的掺铽玻璃及铽镓石榴石（TGG）晶体。同时，该磁光晶体在400～1500nm波段，除485nm附近有Tb³⁺离子的特征吸收峰外，其他波段均表现出较高的透过率。特别在可见光波段400～650nm处，该磁光晶体的透过率较TGG晶体有明显的增大，其作为磁光材料，在该波段将有更好的应用前景。此外，本发明磁光晶体为一致熔融化合物，可采用中频感应提拉法生长，其生长工艺简单、周期短，能够实现大规模低成本的批量生产。

主权项

1.一种磷灰石型硅酸铽磁光晶体，其特征在于：该晶体的分子式为：Tb_10-x(SiO₄)₆O_3-1.5x，其中x=0-2，属六方晶系，空间群为。