[发明专利]一种反射镜结构粗化的AlGaInP反极性发光二极管结构有效
| 申请号： | 201410121029.5 | 申请日： | 2014-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN104934508A | 公开（公告）日： | 2015-09-23 |
| 发明（设计）人： | 左致远;夏伟;陈康;申加兵 | 申请（专利权）人： | 山东华光光电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/10 | 分类号： | H01L33/10 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 250101 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明提供一种反射镜结构粗化的AlGaInP反极性发光二极管结构，由底部至顶部的结构依次为p电极、衬底、键合层、带有粗化结构的反射镜层、绝缘层、电流扩展层、p型半导体层、有源发光区、n型半导体层、窗口层，n电极；所述带有粗化结构的反射镜层覆盖于键合层之上，呈现粗化形式，并以开孔的形式穿透绝缘层与带有粗化结构的电流扩展层直接接触。本方法可有效解决AlGaInP反极性LED光提取效率低下的问题，且易于与现有工艺相集成，在大功率LED生产中具有很大的应用潜力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 反射 结构 algainp 极性 发光二极管 | ||
【主权项】：
一种反射镜结构粗化的AlGaInP反极性发光二极管结构，其由底部至顶部的结构依次为p电极、衬底、键合层、带有粗化结构的反射镜层、绝缘层、电流扩展层、p型半导体层、有源发光区、n型半导体层、窗口层，n电极。
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