[发明专利]一种ITO粗化的GaN基LED芯片及其制备方法

摘要

本发明公开一种ITO粗化的GaN基LED芯片及其制备方法，包括如下步骤在GaN基LED外延片表面沉积ITO作为透明导电层；再置入稀盐酸溶液进行无掩模的湿法腐蚀；用去离子水清洗后烘烤；再在表面涂覆一层增粘剂；再涂覆一层正性或负性光刻胶，在热板上烘烤后，使用具有微米尺寸结构的光刻掩模版进行普通紫外曝光，并再次在热板上烘烤；将基片置入显影液中显影；用去离子水清洗后放入烤箱烘烤；再置入稀盐酸溶液进行有掩模的湿法腐蚀；去除光刻胶后高温退火。本发明在LED芯片的ITO透明导电层同时制备纳米尺寸和微米尺寸的微结构，具有更高的光输出功率。本发明适用于LED生产线批量生产、无需增加额外设备且低成本。

主权项

一种ITO粗化的GaN基LED芯片的制备方法，其特征在于包括如下步骤：（A）使用电子束蒸发在GaN基LED外延片表面沉积一层ITO作为透明导电层；（B）将步骤（A）得到的基片置入稀盐酸溶液进行无掩模的湿法腐蚀；（C）使用去离子水清洗步骤（B）得到的基片后放入烤箱烘烤；（D）在步骤（C）烘烤后的基片表面涂覆一层增粘剂；（E）再涂覆一层正性或负性光刻胶，在热板上烘烤后，使用具有微米尺寸结构的光刻掩模版进行普通紫外曝光，并再次在热板上烘烤；（F）将步骤（E）得到的基片置入显影液中显影；（G）使用去离子水清洗后放入烤箱烘烤；（H）再置入稀盐酸溶液进行有掩模的湿法腐蚀；（I）去除光刻胶后高温退火。