[发明专利]改善化学酸液清洗工艺造成缺陷的方法在审
| 申请号： | 201410122362.8 | 申请日： | 2014-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN103871843A | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | 周玉;陈俊 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提出了一种改善化学酸液清洗工艺造成缺陷的方法，在化学酸液对晶圆表面进行清洗之后，将晶圆表面改变成疏水性，再采用臭氧对晶圆表面进行处理，原子氧会在晶圆表面扩散，从而在晶圆表面形成非定型的SiOX，后续与去离子水接触会形成非桥键亲水性的羟基，进而将晶圆表面改变为亲水性，去离子水便能够与晶圆表面完全接触，能够完全冲去残留在晶圆表面的化学酸液，避免化学酸液与后续形成的薄膜发生反应形成缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 化学 清洗 工艺 造成 缺陷 方法 | ||
【主权项】：
一种改善化学酸液清洗工艺造成缺陷的方法，包括步骤：提供晶圆；采用化学酸液对晶圆表面进行清洗，且晶圆表面改变为疏水性；采用臭氧对晶圆表面进行处理，将晶圆表面改变为亲水性；采用去离子水对晶圆表面进行清洗，去除残留在晶圆表面的化学酸液。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉新芯集成电路制造有限公司，未经武汉新芯集成电路制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410122362.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
