[发明专利]定义最佳电子束对焦点的方法有效
| 申请号： | 201410122490.2 | 申请日： | 2014-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN104952763B | 公开（公告）日： | 2017-12-08 |
| 发明（设计）人： | 舒强 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;G03F1/38 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 屈蘅,李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种在光学邻近修正过程中的定义最佳电子束对焦点的方法，在某一个对焦点选择多个阀值位置得出关键尺寸(CD)与阀值位置之间的线性关系，比较多个焦点位置中所有线性系数k绝对值的大小，得到k值最接近于0时所对应的电子束对焦点，将其定义为最佳电子束焦点，从而能够满足晶圆整体CD大小的要求，避免出现局部CD符合工艺要求其它区域不符合工艺要求的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 定义 最佳 电子束 焦点 方法 | ||
【主权项】：
一种定义最佳电子束对焦点的方法，包括步骤：提供多个对焦点，在同一对焦点的光学模型建立时，选取多个阀值位置；在某一个阀值位置上，通过调节电子束对焦点，得出符合工艺要求的特征尺寸大小，依次类推，由多个阀值得出多个特征尺寸大小；对于不同的对焦点，由阀值和特征尺寸的关系，得出两者之间的线性关系式：y＝a+k*x，其中，y为特征尺寸大小，a为常数，k为线性系数，x为阀值位置；依次类推，得出多个对焦点中特征尺寸和阀值关系式的k值，比较所有k的大小，选取k绝对值最小时对应的电子束对焦点为最佳电子束对焦点。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
