[发明专利]提高线性度的输入缓冲器

摘要

本发明涉及一种用于模数转换器中的高性能输入缓冲器电路，它包括NPN晶体管Q₁、NPN晶体管Q₂和NMOS管M₂、负载电容C_L、复制负载电容C_RL。本发明电路通过在输入缓冲器的输入端和偏置节点之间加入一个和负载电容相同的电容来抵消由于输入信号变化引起的偏置电流变化，使输入缓冲器电路在工作时偏置电流恒定，即输入器件的跨导g_m不随输入信号变化，保持恒定，进而减小输出信号失真，可以大大提高输入缓冲器的线性度；同时本发明电路工作时不增加电路的静态功耗。本发明特别适用于无采保的高速高精度流水线模数转换器领域。

主权项

一种提高线性度的输入缓冲器，其特征在于包括：作为跟随输入信号变化的NPN晶体管Q₁、为所述输入缓冲器提供恒流源偏置的NPN晶体管Q₂和NMOS管M₂、作为所述输入缓冲器的负载电容C_L、作为提高所述输入缓冲器的线性度用的复制负载电容C_RL。其中，Q₁的基极接所述输入缓冲器的输入信号端V_in，Q₁的发射极接所述输入缓冲器的输出端V_out，Q₁的集电极接所述输入缓冲器的电源电压V_CC，Q₂的基极接所述输入缓冲器的偏置电压V_NB1，Q₂的集电极接Q₁的发射极，Q₂的发射极接M₂的漏极，M₂的栅极接所述输入缓冲器的偏置电压V_NB2，M₂的漏极接Q₂的发射极，M₂的源极接地，C_L的一端接Q₁的发射极和Q₂号的集电极，C_L的另一端作为整个输入缓冲器的输出端，接所述输入缓冲器的输出信号V_out，C_RL的一端接所述输入缓冲器的输入信号V_in，C_RL的另一端接Q₂的发射极和M₂的漏极。