[发明专利]一种Cu掺杂氧化锆电阻存储器薄膜的制备方法

摘要

一种Cu掺杂氧化锆电阻存储器薄膜的制备方法，将氧化锆溶胶和Cu离子混合后在真空的手套箱搅拌，得到Cu掺杂氧化锆溶胶；在室温下，以Cu掺杂氧化锆溶胶为前驱液，以氧化锡薄膜基片为基板提拉Cu掺杂氧化锆薄膜，再采用浸渍提拉法在氧化锡薄膜电极上制得Cu掺杂氧化锆凝胶薄膜，在空气中干燥后进行退火处理后在空气中自然冷却，然后将其放入溅射仪中进行顶电极的溅射即得。本发明Cu掺杂氧化锆电阻存储器薄膜的制备方法，进行Cu掺杂后可以有效的降低置位电压和电流；与常用的半导体薄膜的制备技术相比，这种溶胶-凝胶方法简便、设备简易，工艺参数易于控制，大大地降低生产成本；在进行氧化锆薄膜的掺杂时，掺杂工艺简单、定量准确。

主权项

一种Cu掺杂氧化锆电阻存储器薄膜的制备方法，其特征在于，具体按照以下步骤实施：步骤1，在相对湿度不大于40%RH的手套箱中，将正丁醇锆、乙酰丙酮和无水乙醇混合后搅拌1～2h至溶液澄清，然后密封陈化20～24h得到氧化锆溶胶；将醋酸铜和甲醇混合搅拌2h后滴加丙烯酸搅拌至溶液澄清，得到掺杂所需的Cu离子；然后将氧化锆溶胶和掺杂所需的Cu离子混合，并在真空的手套箱搅拌8h，得到Cu掺杂氧化锆溶胶；步骤2，在室温下，以Cu掺杂氧化锆溶胶为前驱液，以氧化锡薄膜基片为基板提拉Cu掺杂氧化锆薄膜，再采用浸渍提拉法在氧化锡薄膜电极上制得Cu掺杂氧化锆凝胶薄膜，然后将其放置于空气中自然干燥5～10min；步骤3，对步骤2得到的Cu掺杂氧化锆凝胶薄膜进行退火处理后在空气中自然冷却，然后将其放入溅射仪中进行顶电极的溅射，即得到Cu掺杂氧化锆电阻存储器薄膜。