[发明专利]光谱传感器及其制造方法有效
申请号: | 201410123124.9 | 申请日: | 2014-03-28 |
公开(公告)号: | CN104078476B | 公开(公告)日: | 2018-07-10 |
发明(设计)人: | 中村纪元;花冈辉直;矢野邦彦 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;G01J3/36;G01J3/02 |
代理公司: | 北京金信知识产权代理有限公司 11225 | 代理人: | 黄威;苏萌萌 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种光谱传感器及其制造方法。该制造方法包括:在半导体基板上形成受光元件的工序(a);在半导体基板之上形成角度限制滤波器的工序(b);在角度限制滤波器之上形成光谱滤波器的工序(c)。形成光谱滤波器的工序(c)包括如下工序:工序(c1),通过剥离法而形成第一透光膜,所述第一透光膜具有在俯视观察半导体基板时与遮光部重叠的边缘部;工序(c2),通过剥离法而在俯视观察半导体基板时远离第一透光膜的位置处形成第二透光膜,所述第二透光膜具有在俯视观察半导体基板时与遮光部重叠的边缘部。 | ||
搜索关键词: | 半导体基板 透光膜 俯视观察 滤波器 光谱传感器 光谱滤波器 角度限制 剥离法 边缘部 遮光部 制造 受光元件 位置处 | ||
【主权项】:
1.一种光谱传感器的制造方法,其特征在于,包括如下工序:工序(a),在半导体基板上形成受光元件;工序(b),在所述工序(a)之后,在所述半导体基板之上形成具有遮光部、多个第一开口及多个第二开口的角度限制滤波器,其中,所述遮光部由多个合金层和多个遮光层构成,所述第一开口及第二开口在俯视观察所述半导体基板时隔着所述遮光部彼此相邻,所述合金层在俯视观察所述半导体基板时被形成为格子状并具有第一开口部和第二开口部且由铝合金层或铜合金层构成,所述遮光层位于所述第一开口部和所述第二开口部上并具有多个开口,所述遮光层由使所述受光元件所要接受的波长的光的反射率低于所述合金层的反射率、且不会使所述受光元件所要接受的波长的光透过的物质构成,所述遮光层所具有的多个开口中的位于所述第一开口部的开口为所述第一开口,且位于所述第二开口部的开口为所述第二开口;工序(c),在所述工序(b)之后,在所述角度限制滤波器之上形成具有第一透光膜和第二透光膜的光谱滤波器,其中,所述第一透光膜具有第一膜厚,并且位于在俯视观察所述半导体基板时与所述第一开口重叠的位置处,所述第二透光膜具有与所述第一膜厚不同的第二膜厚,并且位于在俯视观察所述半导体基板时与所述第二开口重叠的位置处,所述工序(c)包括如下工序:工序(c1),通过剥离法而形成所述第一透光膜,所述第一透光膜具有在俯视观察所述半导体基板时与所述遮光部重叠的边缘部;工序(c2),在所述工序(c1)之后,通过剥离法而在俯视观察所述半导体基板时远离所述第一透光膜的位置处形成所述第二透光膜,所述第二透光膜具有在俯视观察所述半导体基板时与所述遮光部重叠的边缘部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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