[发明专利]一种含钠钼膜及其制备方法和应用有效
申请号: | 201410123303.2 | 申请日: | 2014-03-28 |
公开(公告)号: | CN103872154A | 公开(公告)日: | 2014-06-18 |
发明(设计)人: | 张风燕;张然;陈文志;吴洁阳 | 申请(专利权)人: | 厦门大学 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/18;H01L21/203 |
代理公司: | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人: | 张松亭 |
地址: | 361000 *** | 国省代码: | 福建;35 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种含钠钼膜及其制备方法和应用,该含钠钼膜从上至下依次包括10nm-1um厚的第一纯钼层、10nm-1um厚的含钠钼层、100nm-2um厚的第二纯钼层和基底,其中含钠钼层的Na含量1-20%[at],Mo含量80-99%[at],第一纯钼层和第二纯钼层的钼含量均为99.9-99.9999%[at]。与现有技术相比,本发明含钠钼膜在粘附性、导电性等方面符合铜铟镓硒薄膜太阳能电池的要求,可以用于制备优质的铜铟镓硒薄膜太阳能电池;本发明可以制备含有适量钠元素的掺钠钼膜,保证钠元素的掺入量对铜铟镓硒太阳能电池的效率的正面影响相对最大化;本发明制备的含钠钼膜适用范围广,可基于玻璃、PI、不锈钢或陶瓷等铜铟镓硒薄膜太阳能电池常用基底进行制备。 | ||
搜索关键词: | 一种 含钠钼膜 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】:
一种含钠钼膜,其特征在于:该含钠钼膜从上至下依次包括10nm‑1um厚的第一纯钼层、10nm‑1um厚的含钠钼层、100nm‑2um厚的第二纯钼层和基底,其中含钠钼层的Na含量1‑20%[at],Mo含量80‑99%[at],第一纯钼层和第二纯钼层的钼含量均为99.9‑99.9999%[at]。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于厦门大学,未经厦门大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410123303.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的