[发明专利]非易失性存储器单元与读取的方法

摘要

本发明公开了一种非易失性存储器单元与读取的方法,非易失性存储器单元包含位于基材中的掺杂井、位于掺杂井上的反熔丝栅极、位于基材中的漏极、位于掺杂井上视情况需要的选择栅极、与位于掺杂井中的浅沟槽隔离。此等非易失性存储器单元结构具有非常弹性的组件安排,而能符合不同操作条件的需求。

主权项

一种非易失性存储器单元,其特征在于,包含:一第一导电型的一基材；一第二导电型的一第一掺杂井,位于该基材中；该第一导电型的一第二掺杂井,位于该基材中；以及一反熔丝栅极,位于该第一掺杂井上,并包含:一栅极导电层,位于该第一掺杂井上；以及一栅极氧化物层,位于该栅极导电层与该第一掺杂井之间并直接接触该第一掺杂井；一第一漏极/有源极掺杂区,远离该反熔丝栅极,其中从该反熔丝栅极往该第一漏极/有源极掺杂区的一电流移动时,通过该第一掺杂井与该第二掺杂井；以及一选择栅极,其同时位于该第一掺杂井与该第二掺杂井之上，其中该反熔丝栅极与该选择栅极是分开的。