[发明专利]一种硼元素均匀分布的多晶硅铸锭工艺有效
| 申请号： | 201410123795.5 | 申请日： | 2014-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN103882518A | 公开（公告）日： | 2014-06-25 |
| 发明（设计）人： | 谭毅;李鹏廷;任世强;石爽;姜大川 | 申请（专利权）人： | 大连理工大学 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B28/06;C30B31/04 |
| 代理公司： | 大连东方专利代理有限责任公司 21212 | 代理人： | 赵淑梅;李馨 |
| 地址： | 116024 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种硼元素均匀分布的多晶硅铸锭工艺，属于多晶硅生产领域。一种硼元素均匀分布的多晶硅铸锭工艺，包括多晶硅生长步骤，其特征在于：所述多晶硅生长步骤包括七个多晶硅生长阶段，每个生长阶段的时间为3～4h，各个阶段的生长速率依次为1.3cm/h、1.2cm/h、1.1cm/h、1.0cm/h、0.9cm/h、0.8cm/h、0.7cm/h。该工艺减弱了晶体生长过程中硼元素的定向分凝，可以使硅锭的出成率提高7～12%；均匀的硼元素分布、低的位错密度使得电池片的转换效率提高0.1%～0.2%。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 元素 均匀分布 多晶 铸锭 工艺 | ||
【主权项】：
一种硼元素均匀分布的多晶硅铸锭工艺，包括多晶硅生长步骤，其特征在于：所述多晶硅生长步骤包括七个多晶硅生长阶段，每个生长阶段的时间为3～4h，各个阶段的生长速率依次为1.3cm/h、1.2cm/h、1.1cm/h、1.0cm/h、0.9cm/h、0.8cm/h、0.7cm/h。
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