[发明专利]像素结构及其制作方法

摘要

一种像素结构，包括一薄膜晶体管元件。薄膜晶体管元件包括一第一连接电极、一第二连接电极、一氧化物半导体通道层、一栅极绝缘层、一栅极、一介电层、一源极与一漏极。氧化物半导体通道层的两侧分别部分覆盖第一连接电极的上表面与第二连接电极的上表面。栅极设置于栅极绝缘层上。介电层设置于栅极与栅极绝缘层上，栅极绝缘层与该介电层具有一第一接触洞至少部分暴露出第一连接电极的上表面，与一第二接触洞至少部分暴露出第二连接电极的上表面。源极经由第一接触洞与第一连接电极电性连接，且漏极经由第二接触洞与第二连接电极电性连接。

主权项

一种像素结构，其特征在于，包括：一基板；一薄膜晶体管元件，设置于该基板上，该薄膜晶体管元件包括：一第一连接电极与一第二连接电极，设置于该基板上；一氧化物半导体通道层，设置于该基板上，其中该氧化物半导体通道层的两侧分别部分覆盖该第一连接电极的一上表面与该第二连接电极的一上表面；一栅极绝缘层，设置于该基板上并覆盖该氧化物半导体通道层、该第一连接电极与该第二连接电极；一栅极，设置于该栅极绝缘层上；一介电层，设置于该栅极与该栅极绝缘层上，其中该栅极绝缘层与该介电层具有一第一接触洞至少部分暴露出该第一连接电极的该上表面，以及一第二接触洞至少部分暴露出该第二连接电极的该上表面；以及一源极与一漏极，设置于该介电层上，其中该源极经由该第一接触洞与该第一连接电极电性连接，且该漏极经由该第二接触洞与该第二连接电极电性连接；一第一保护层，设置于该介电层上，其中该第一保护层具有一第三接触洞，至少部分暴露出该漏极；以及一第一像素电极，设置于该第一保护层上，其中该第一像素电极经由该第三接触洞与该薄膜晶体管元件的该漏极电性连接。