[发明专利]半导体栅堆叠结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201410125729.1 | 申请日： | 2014-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN103943476B | 公开（公告）日： | 2017-01-18 |
| 发明（设计）人： | 王敬;刘磊;梁仁荣;许军 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/423;H01L29/49 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)11201 | 代理人： | 张大威 |
| 地址： | 100084 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体栅堆叠结构及其形成方法，其中形成方法包括以下步骤提供顶部具有Ge层的衬底；在Ge层之上形成牺牲金属层，其中，Ge与牺牲金属层之间的界面为Ge与金属的合金层；去除牺牲金属层以暴露合金层；对合金层进行氧化处理，以形成掺有金属氧化物的GeO2的介质层；以及在介质层之上形成栅电极。本发明能够在保证良好界面特性的前提下降低Ge基栅堆叠结构的等效氧化层厚度，具有简便易行的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 堆叠 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体栅堆叠结构的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：提供顶部具有Ge层的衬底；在所述Ge层之上形成牺牲金属层，其中，所述Ge与所述牺牲金属层之间的界面为Ge与金属的合金层，所述牺牲金属层为钇、钪、镧或铝中的一种或多种的组合；去除所述牺牲金属层以暴露所述合金层；对所述合金层进行氧化处理，以形成掺有金属氧化物的GeO2的介质层；以及在所述介质层之上形成栅电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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