[发明专利]一种制备二硅化钽涂层的方法在审
| 申请号： | 201410126013.3 | 申请日： | 2014-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN103882368A | 公开（公告）日： | 2014-06-25 |
| 发明（设计）人： | 牛亚然;葛雪莲;王忠;赵君;黄山松;郑学斌;丁传贤 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C23C4/12 | 分类号： | C23C4/12;C23C4/10 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 曹芳玲;郑优丽 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种制备二硅化钽涂层的方法,所述方法包括：采用粒径范围为10～120微米，纯度大于95wt%的二硅化钽粉，运用真空等离子体喷涂工艺或低压等离子体喷涂工艺将二硅化钽粉喷涂于预处理的耐高温基体材料表面，即得二硅化钽涂层，所述等离子体喷涂工艺的参数为：等离子体气体Ar：30-50slpm；等离子体气体H2：8-18slpm；粉末载气Ar：1.5-5slpm；喷涂距离：100-350mm；喷涂功率：30-58kW；送粉速率：8-30g·min-1；喷涂压力：100-800mbar。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 二硅化钽 涂层 方法 | ||
【主权项】：
一种通过等离子体喷涂技术制备二硅化钽涂层的方法，其特征在于，所述方法包括：采用粒径范围为10～120微米，纯度大于95 wt%的二硅化钽粉，运用真空等离子体喷涂工艺或低压等离子体喷涂工艺将二硅化钽粉喷涂于预处理的耐高温基体材料表面，即得二硅化钽涂层，所述等离子体喷涂工艺的参数为：等离子体气体Ar：30‑50slpm；等离子体气体H2：8‑18slpm；粉末载气Ar：1.5‑5slpm；喷涂距离：100‑350 mm；喷涂功率：30‑58 kW；送粉速率：8‑30 g·min‑1；喷涂压力：100‑800mbar。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C4-00 熔融态覆层材料喷镀法，例如火焰喷镀法、等离子喷镀法或放电喷镀法的镀覆
C23C4-02 .待镀材料的预处理，例如为了在选定的表面区域镀覆
C23C4-04 .以镀覆材料为特征的
C23C4-12 .以喷镀方法为特征的
C23C4-18 .后处理
C23C4-14 ..用于长形材料的镀覆
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C4-00 熔融态覆层材料喷镀法，例如火焰喷镀法、等离子喷镀法或放电喷镀法的镀覆
C23C4-02 .待镀材料的预处理，例如为了在选定的表面区域镀覆
C23C4-04 .以镀覆材料为特征的
C23C4-12 .以喷镀方法为特征的
C23C4-18 .后处理
C23C4-14 ..用于长形材料的镀覆
