[发明专利]一种裸眼3D功能面板的制造方法有效
申请号: | 201410126416.8 | 申请日: | 2014-03-31 |
公开(公告)号: | CN103943565A | 公开(公告)日: | 2014-07-23 |
发明(设计)人: | 郭会斌;王守坤;刘晓伟;冯玉春;郭总杰 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L21/768;G03F7/42 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明实施例提供一种裸眼3D功能面板的制造方法,能够减少构图工艺的次数,提升量产产品的产能,降低成本,所述裸眼3D功能面板的制造方法包括:通过一次构图工艺,在形成有信号线金属层的基板上形成第一信号线和第二信号线;通过一次构图工艺,在形成有第一信号线和第二信号线的基板上形成钝化层,第一钝化层过孔和与第二钝化层过孔;在形成有钝化层的基板上形成第一透明电极和第二透明电极,第一透明电极与第二透明电极间隔设置,第一透明电极通过第一钝化层过孔与第一信号线连接,第二透明电极通过第二钝化层过孔与第二信号线连接。本发明实施例提供一种裸眼3D功能面板的制造方法,用于裸眼3D功能面板的制造。 | ||
搜索关键词: | 一种 裸眼 功能 面板 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种裸眼3D功能面板的制造方法,其特征在于,所述制造方法包括:通过一次构图工艺,在形成有信号线金属层的基板上形成第一信号线和第二信号线;通过一次构图工艺,在形成有所述第一信号线和所述第二信号线的基板上形成钝化层,与所述第一信号线对应的第一钝化层过孔和与所述第二信号线对应的第二钝化层过孔;在形成有所述钝化层的基板上形成第一透明电极和第二透明电极,所述第一透明电极与所述第二透明电极间隔设置,所述第一透明电极通过所述第一钝化层过孔与所述第一信号线连接,所述第二透明电极通过所述第二钝化层过孔与所述第二信号线连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造