[发明专利]一种抗单粒子闩锁效应的标准单元设计方法有效
| 申请号： | 201410126616.3 | 申请日： | 2014-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN103886158B | 公开（公告）日： | 2017-01-25 |
| 发明（设计）人： | 周国昌;巨艇;赖晓玲;王轩;张健 | 申请（专利权）人： | 西安空间无线电技术研究所 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 中国航天科技专利中心11009 | 代理人： | 安丽 |
| 地址： | 710100 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 一种抗单粒子闩锁效应的标准单元设计方法，步骤如下（1）在标准单元版图中进行阱接触保护带设计，即在标准单元版图中与阱接触相连并伸出到晶体管有源区两侧的区域设为保护带，并且在阱接触保护带上多打接触孔；（2）减小阱接触保护带的间距，阱接触保护带的间距（dWC）最大不超过4um；（3）增大NMOS和PMOS有源区的间距，NMOS和PMOS有源区的间距（dAA）不小于0.69um；（4）减小阱接触保护带距MOS管源极的距离，根据SMIC013MMRF工艺的设计规则，采用的第1、2和3层金属的节宽均为0.4μm，采用的单元高度为4.0μm，相当于10个金属层的节宽。本发明实现了抗单粒子闩锁效应的加固设计，代价小、易实现、可靠性高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 粒子 效应 标准 单元 设计 方法 | ||
【主权项】：
一种抗单粒子闩锁效应的标准单元设计方法，其特征在于：基于0.13um CMOS工艺，实现步骤如下：(1)在标准单元版图中进行阱接触保护带设计，即在标准单元版图中与阱接触相连并伸出到晶体管有源区两侧的区域设为保护带，并且在阱接触保护带上多打接触孔，阱接触保护带上接触孔越多，其并联的电阻值就越小；(2)减小阱接触保护带的间距，阱接触保护带的间距(dWC)最大不超过4um；(3)增大NMOS和PMOS有源区的间距，NMOS和PMOS有源区的间距(dAA)不小于0.69um；(4)减小阱接触保护带距MOS管源极的距离，采用的第1、2和3层金属的节宽均为0.4μm，采用的单元高度为4.0μm，相当于10个金属层的节宽。
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